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无线和射频半导体
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PTFC261402FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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¥646.5295
32326.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
18 dB
输出功率
140 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFC261402FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AD6649BCPZRL7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频接收器 IC IF Diversity Rec 75 MHz sig bandwidth
750:¥802.2887
参考库存:39231
MA4P274CK-1146T
MACOM
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PIN 二极管
1:¥7.9891
10:¥6.4184
100:¥4.9268
500:¥4.3618
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MG1008-42
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
5:¥1,610.7246
10:¥1,587.5935
25:¥1,565.389
50:¥1,530.1895
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HMC570LC5TR-R5
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无线和射频半导体
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无线和射频半导体
射频放大器 10-1000MHz NF 3.0dB Gain 26.0dB
10:¥1,629.8555
参考库存:39251

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