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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	290 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5.1 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113821

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ATSAMR21G18A-MFT	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 256K 125C T&R	1:¥41.6518 10:¥41.0303 25:¥38.0358 4,000:¥35.5724	参考库存:6462
SKY66288-11	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5.15-5.925GHz 4W PAE 25% Gain 28dB	1:¥127.5544 10:¥115.4182 25:¥106.2652 50:¥100.1971 2,500:¥73.7664	参考库存:1914
PN5180A0ET/C1QL	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 High-power NFC Frontend Solution	1:¥55.2457 10:¥49.946 25:¥47.6408 100:¥41.3354	参考库存:4216
PN5180A0HN/C3E	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 PN5180A0HN/HVQFN40//C3/TRAY SINGLE DP BAKEABLE	1:¥55.2457 10:¥49.946 25:¥47.6408 100:¥41.3354	参考库存:5713
AWR1443FQIGABLQ1	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC AWR1443 TRAY ES3	1:¥454.1244 5:¥440.3723 10:¥426.6202 25:¥412.8568	参考库存:2000