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无线和射频半导体
A2T21H360-23NR6参考图片

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A2T21H360-23NR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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库存:39,106(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥853.15
127972.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.4 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 5 V
增益
16.8 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935322358528
单位重量
5.296 g
商品其它信息
优势价格,A2T21H360-23NR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 2.4GHz SoC RF Xcvr 32 Pin 1.9-3.6V
1:¥49.8669
10:¥40.115
100:¥36.499
250:¥32.9621
参考库存:30613
无线和射频半导体
上下转换器 27-34GHz Downconverter
1:¥395.8051
5:¥383.8949
10:¥371.8265
25:¥359.8372
500:¥323.8806
参考库存:30618
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ 128K SOC 48 pin Ind125C
4,000:¥38.3409
参考库存:30623
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:30628
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Lo Jitter Clock Mult & Divider
2,500:¥35.8097
参考库存:30633
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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