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无线和射频半导体
AFIC10275NR1参考图片

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AFIC10275NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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500
¥2,127.3945
1063697.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 100 V
增益
32.1 dB
输出功率
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270WB-14
封装
Reel
工作频率
978 MHz to 1090 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935312592528
单位重量
1.652 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX9931EUA+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频检测器 2MHz to 1.6GHz 45dB 射频检测器
1:¥27.9675
10:¥26.3516
25:¥21.131
50:¥20.0575
参考库存:3332
HMC550A
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC SPST Switch, DC - 2.5 GHz
1:¥69.3142
10:¥62.6246
50:¥59.7092
100:¥51.867
参考库存:3484
SE5007T-R
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 5GHz 24dBm Gain 30 dB typ.
1:¥18.8258
10:¥16.9839
25:¥15.142
100:¥13.6052
3,000:¥7.7631
参考库存:5746
ADG901BRMZ
Analog Devices
无线和射频半导体
RF 开关 IC SGL WB 43dB Iso 1GHz CMOS 1.65-2.75V
1:¥24.8148
10:¥22.1254
25:¥19.9784
50:¥19.0518
参考库存:4573
TRF37T05IRGER
Texas Instruments
无线和射频半导体
调节器/解调器 300-MHz to 4-GHz Quadrature Modulator
1:¥82.377
10:¥75.7665
25:¥71.7663
100:¥63.9354
3,000:¥52.1721
参考库存:32563

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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