TRF37A32IRTVT详细参数_参考价格_TRF37A32IRTVT PDF资料_Texas Instruments

无线和射频半导体

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500	¥121.8705	60935.25

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	射频混合器
RoHS	是
射频	400 MHz to 1.7 GHz
转换损失——最大	-
NF—噪声系数	9.6 dB
LO频率	1400 MHz
中频	600 MHz
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	WQFN-32
封装	Reel
系列	TRF37A32
商标	Texas Instruments
增益	9.6 dB
最大工作频率	1700 MHz
湿度敏感性	Yes
OIP3 - 三阶截点	35.6 dBm
工作电源电压	3.3 V
P1dB - 压缩点	11 dBm
Pd-功率耗散	920 mW
产品类型	RF Mixer
工厂包装数量	250
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	40 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ARA2017RS29P8	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 PROGRAMMABLE GAIN AMPLIFIER	1:¥47.2566 10:¥42.262 25:¥38.0358 100:¥34.6571 2,500:¥21.357	参考库存:29863
BFU550AVL	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥3.6838 10:¥2.3843 100:¥1.02152 1,000:¥0.78422 10,000:¥0.52997	参考库存:29868
TGA3500-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2-12GHz NF 3dB Gain 34dB	25:¥1,129.7062	参考库存:29873
NBB-400-SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 DC-8GHz Gain 15.5dB P1dB 15dBm@2GHz	100:¥67.235	参考库存:29878
AGR18030EF	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB	1:¥457.198 5:¥419.5464 10:¥376.516 25:¥333.4856	参考库存:29883