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无线和射频半导体
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D1218UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
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1074.8334
10
¥949.1322
9491.322
25
¥842.2455
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50
¥798.2094
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
60 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DD
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
290 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1218UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LT5534ESC6#TRPBF
Analog Devices
无线和射频半导体
射频检测器 3GHz Log Amp 射频检测器
1:¥87.3716
25:¥57.9351
100:¥47.8668
250:¥45.4938
2,500:¥41.4936
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ADRF6516ACPZ-R7
Analog Devices
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1:¥142.4591
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10:¥132.775
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1,500:¥96.9766
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F1192BNLGK
IDT
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1:¥90.8294
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25:¥76.3767
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射频无线杂项 8-12GHz 50W GaAs IL <.5dB
50:¥224.0677
100:¥181.5006
250:¥165.206
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WF200SC
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射频收发器
1:¥30.2727
10:¥29.6625
25:¥29.1201
50:¥28.589
参考库存:6441

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