HMC213BMS8E详细参数_参考价格_HMC213BMS8E PDF资料_Analog Devices

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频混合器
RoHS	是
射频	1.5 GHz to 4.5 GHz
转换损失——最大	10 dB
LO频率	1.5 GHz to 4.5 GHz
中频	DC to 1.5 GHz
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	MSOP-8
系列	HMC213B
技术	GaAs
商标	Analog Devices
开发套件	EV1HMC213BMS8
OIP3 - 三阶截点	21 dBm
P1dB - 压缩点	11 dBm
Pd-功率耗散	1.424 W
产品类型	RF Mixer
工厂包装数量	1
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AT0603C07ECATD	American Technical Ceramics (ATC)	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 7db 1W 0603 DC to 20GHz	1,000:¥31.6626 2,000:¥30.0467	参考库存:40177
LX5532LQ	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Wireless LAN Power Amplifier	3,000:¥12.5995 5,000:¥11.752	参考库存:40182
HMC-ALH509-SX	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GaAs HEMT lo Noise amp, 71 - 86 GHz	2:¥3,207.5276 6:¥3,173.3338 10:¥3,111.0934 26:¥3,087.2052	参考库存:40187
RFSW6062SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC 5-6000MHz SP6T	100:¥8.6106	参考库存:40192
EM357-IRT	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC IEEE 802.15.4 2.4GHz SoC	416:¥36.1939	参考库存:40197