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无线和射频半导体
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PTFB183404F-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
1
¥1,281.0019
1281.0019
50
¥1,281.0019
64050.095
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB183404F-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC1049
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 0.4-20GHz lo Noise amp
25:¥660.2138
100:¥622.7091
参考库存:3152
ATN3590-07
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
衰减器 Attn=7dB -55C +150C RL=16dB @ 40GHz
100:¥32.883
300:¥29.6625
500:¥26.5889
1,000:¥22.4418
参考库存:3904
CPLL66-1600-2200
Crystek Corporation
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 1600MHz to 2200MHz
1:¥410.9358
5:¥390.4263
10:¥369.8264
25:¥328.717
50:¥308.2075
参考库存:2931
HMC463
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp Chip w/AGC, 2-20 GHz
25:¥662.971
50:¥647.151
100:¥621.3305
参考库存:3408
BGB707L7ESDE6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF BIP TRANSISTORS
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
7,500:¥3.0397
参考库存:41720

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    50万现货SKU

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