HMC356LP3E详细参数_参考价格_HMC356LP3E PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	350 MHz to 550 MHz
P1dB - 压缩点	21 dBm
增益	17 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	1 dB
OIP3 - 三阶截点	38 dBm
工作电源电流	104 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC356
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	17 dB
Pd-功率耗散	0.91 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	57.100 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
EFR32BG14P733F256GM48-B	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Blue Premium SoC QFN48 dual 19.5 dB BLE multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 28GPIO	260:¥48.3301 520:¥47.0984	参考库存:44297
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SI1031-B-GM3R	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck	2,500:¥49.3358	参考库存:44317