HMC536MS8GETR详细参数_参考价格_HMC536MS8GETR PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	RF 开关 IC
RoHS	是
开关数量	Dual
开关配置	SPDT
工作频率	DC to 6 GHz
介入损耗	0.7 dB
关闭隔离—典型值	32 dB
最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	MS8G
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	HMC536
技术	GaAs
商标	Analog Devices / Hittite
高控制电压	3 V to 5 V
最小工作温度	- 40 C
Pd-功率耗散	0.867 W
产品类型	RF Switch ICs
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MAX3523ETP+	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Programmable DOCSIS 3.1 Upstream Amplifier	1:¥18.1365 10:¥15.594 25:¥12.1362 50:¥11.752 1,000:¥11.0627	参考库存:2016
LMX2571NJKT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL LP Synthesizer w/FSK Modulation	1:¥89.8237 10:¥82.5239 25:¥78.2977 100:¥69.7662 250:¥66.3084	参考库存:6883
LMX2531LQ2265E/NOPB	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL Hi Perf Freq Synthesizer System	1:¥89.8237 10:¥82.5239 25:¥78.2977 100:¥69.7662 250:¥66.3084	参考库存:2950
TGL4203	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 DC->50 GHz Analog Atten (17dB)	100:¥110.4236 300:¥99.0445	参考库存:4522
RFFM4227TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2.4GHz Gain 15dB NF 1.3dB	1:¥6.3732 250:¥5.9212 500:¥5.1528 1,000:¥4.2262 2,500:¥3.3787 5,000:¥2.7685	参考库存:13204