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无线和射频半导体
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2SC2714-O(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.2713
22.713
100
¥1.07576
107.576
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.68365
2050.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
2SC2714
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-59-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
40 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
550 MHz (Typ)
工作温度范围
- 55 C to + 125 C
类型
FM Frequency Amplifier
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,2SC2714-O(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 Complete 450MHz Quadrature Txr
1:¥74.2297
10:¥70.0826
25:¥56.0141
50:¥53.2456
2,500:¥34.4198
参考库存:26774
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 Ultra Low Pwr Op Amp GNSS 2.8V 1.8V
1:¥5.2206
10:¥4.6782
25:¥3.955
50:¥3.5482
5,000:¥3.164
参考库存:26779
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
1:¥386.7312
5:¥378.0528
10:¥363.295
25:¥351.543
参考库存:26784
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
6,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
参考库存:26789
无线和射频半导体
射频发射器 SX1223I073TRT--Tape and Reel
1:¥24.747
10:¥19.9784
100:¥18.1365
250:¥16.4415
3,000:¥11.4469
参考库存:26794
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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