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无线和射频半导体
A3T23H300W23SR6参考图片

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A3T23H300W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:2,899(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥737.664
737.664
5
¥724.1379
3620.6895
10
¥691.56
6915.6
25
¥668.508
16712.7
100
¥622.4831
62248.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 5 V, 65 V
增益
15.6 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935374249128
商品其它信息
优势价格,A3T23H300W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 Dual Band IEEE 802.15.4 TRX, 48QFN, T&R
1:¥43.3355
10:¥42.7253
25:¥39.5726
100:¥39.4935
4,000:¥36.9623
参考库存:18253
无线和射频半导体
射频放大器 DC-6000MHz 20dB Gain@900MHz
1:¥11.6842
25:¥8.9157
100:¥6.9947
250:¥5.537
3,000:¥4.0002
参考库存:35510
无线和射频半导体
射频放大器
1:¥88.9084
10:¥80.682
25:¥74.8399
50:¥70.5346
3,000:¥47.0306
参考库存:9507
无线和射频半导体
射频收发器 LOW-POWER INTG UHF TRANSCEIVER
1:¥29.2783
10:¥23.5944
100:¥21.4361
250:¥19.436
3,000:¥13.5261
参考库存:6784
无线和射频半导体
射频接收器 -116 dBm sub-GHz receiver
1:¥12.4526
10:¥12.2153
25:¥11.9893
50:¥11.8311
2,500:¥10.5316
参考库存:87826
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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