LT5500EGN#PBF详细参数_参考价格_LT5500EGN#PBF PDF资料_Analog Devices

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频前端
RoHS	是
类型	RF Front End
工作频率	1.8 GHz to 2.7 GHz
NF—噪声系数	2.5 dB
工作电源电压	1.8 V to 5.25 V
工作电源电流	23 mA
最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SSOP-24
封装	Tube
高度	1.75 mm
系列	LT5500
商标	Analog Devices
增益	18.5 dB
最小工作温度	- 40 C
OIP3 - 三阶截点	- 12 dBm
P1dB - 压缩点	- 24 dBm
产品类型	RF Front End
工厂包装数量	55
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMZ09332BT1	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 MMZ09332B/HVQFN12///REEL 7	1:¥76.4558 10:¥68.3876 25:¥61.5511 50:¥58.6244 1,000:¥36.499	参考库存:7216
BFS17WH6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥3.1527 10:¥2.0792 100:¥0.89157 1,000:¥0.68365 3,000:¥0.52206	参考库存:74973
BAR151E6327HTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 PIN 100 V 140 mA	1:¥2.7685 10:¥2.1357 100:¥1.1639 1,000:¥0.86784 3,000:¥0.75258 9,000:¥0.69947	参考库存:39755
PD20015-E	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family	1:¥180.0316 5:¥178.1897 10:¥166.0535 25:¥158.5955	参考库存:6442
SMA3107-TL-E	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 DOUBLE BALANCED MIXER	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:41179