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无线和射频半导体
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BFP 420 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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1
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3.1527
10
¥2.6555
26.555
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2543
1254.3
3,000
¥1.06785
3203.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP420
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
25 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP420H6327XTSA1 BFP42H6327XT SP000745260
单位重量
6 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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