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无线和射频半导体
BFP182WH6327XTSA1参考图片

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BFP182WH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.63054
1891.62
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
35 mA
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
182W BFP H6327 SP000745176
单位重量
6.730 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥799.362
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10:¥35.8097
100:¥32.5779
250:¥29.4252
3,000:¥20.5208
参考库存:24669

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