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无线和射频半导体
BFP182WH6327XTSA1参考图片

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BFP182WH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存:16,869(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.63054
1891.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
35 mA
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
182W BFP H6327 SP000745176
单位重量
6.730 mg
商品其它信息
优势价格,BFP182WH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Vr 100 Vdc Max 1.5pF Rs= .75 Ohms Max.
1:¥81.6764
10:¥63.6981
25:¥57.1667
100:¥50.6353
1,000:¥42.488
参考库存:6789
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300-440MHz RF Receiver With Shutdown
1:¥19.6733
10:¥19.3682
25:¥18.0574
100:¥16.3624
参考库存:5636
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
1:¥11.4469
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:6688
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V
1:¥635.3877
5:¥623.0933
10:¥602.5047
25:¥576.9893
50:¥569.0793
参考库存:4565
无线和射频半导体
射频收发器 Bluetooth Cntlr
1:¥38.3409
10:¥34.4198
100:¥28.2048
250:¥26.4307
2,500:¥19.21
参考库存:7922
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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