您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
VRF2933参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

VRF2933

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:4,946(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥860.608
860.608
2
¥833.8722
1667.7444
5
¥833.6349
4168.1745
10
¥806.7409
8067.409
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
42 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
25 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
30 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
8 mS
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格,VRF2933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 DC-3.5GHZ NF 2.5dB Gain 20.4dB
1:¥18.9049
25:¥14.2154
100:¥11.1418
250:¥9.1417
3,000:¥7.0738
参考库存:14812
无线和射频半导体
射频放大器 1:4 Single Ended Active RF Splitter
1:¥32.1937
10:¥28.7359
25:¥25.8996
50:¥24.6679
1,500:¥15.6731
参考库存:9539
无线和射频半导体
射频放大器 VGLNA
1:¥121.023
10:¥109.8021
25:¥103.1916
50:¥99.3496
1,500:¥70.6137
参考库存:9496
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 5.0 SoC w/ Flexpower ARM Cortex M0
1:¥32.9621
10:¥26.5098
100:¥24.1255
250:¥21.8203
5,000:¥15.0629
参考库存:28713
无线和射频半导体
射频放大器 DC-8GHz Gain 15.5dB P1dB 15dBm@2GHz
1:¥112.3446
25:¥86.0608
100:¥67.235
250:¥55.709
1,000:¥43.8779
参考库存:30770
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们