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无线和射频半导体
3SK291(TE85L,F)参考图片

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3SK291(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.6555
26.555
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.08367
1083.67
3,000
¥0.92999
2789.97
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
22.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-24-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
800 MHz
系列
3SK291
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
13 mg
商品其它信息
优势价格,3SK291(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
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RF 开关 IC DC-18GHz SP4T GaAs IL 1.0dB max
1:¥22.1254
10:¥17.8314
100:¥14.6787
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1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:19030
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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