HMC451LC3详细参数_参考价格_HMC451LC3 PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
类型	RF Amplifier
技术	GaAs
工作频率	20 GHz
P1dB - 压缩点	19.5 dBm
增益	19 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	7 dB
OIP3 - 三阶截点	32 dBm
工作电源电流	114 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC451G
封装	Cut Tape
频率范围	5 GHz to 20 GHz
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	13 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	1.1 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	4.309 g

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFR106E6327HTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR	1:¥2.9154 10:¥2.2374 100:¥1.2091 1,000:¥0.90626 3,000:¥0.78422 9,000:¥0.72998	参考库存:53118
MAAV-007941-TR3000	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 DC-2GHz 12dB VVA -40C 85C	1:¥26.3516 10:¥20.3626 100:¥18.5207 250:¥16.7466 3,000:¥11.6842	参考库存:18500
MAX2051ETP+	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 .85GHz-1.55GHz Up/Down Mixer	1:¥227.8306 10:¥216.3837 25:¥175.1161 50:¥164.5167	参考库存:4497
BAR 63-02V H6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 RF DIODE	1:¥2.147 10:¥1.5142 100:¥0.63054 1,000:¥0.43053 3,000:¥0.33787	参考库存:108584
ADL5506ACBZ-R7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频检测器 Next Gen Mobile Term Log Det	1:¥24.6679 10:¥21.9785 25:¥19.8202 50:¥18.9049 3,000:¥11.9893	参考库存:19946