HMC656LP2ETR详细参数_参考价格_HMC656LP2ETR PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	DFN-EP-6
最大衰减	10 dB
最大频率	25 GHz
通道数量	1 Channel
阻抗	50 Ohms
最大 VSWR	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
功率额定值	25 dBm
系列	HMC656G
技术	GaAs
容差	1.5 dB
类型	Fixed Attenuator
商标	Analog Devices / Hittite
安装风格	SMD/SMT
最小频率	DC
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	130 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFU520YX	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥5.3788 10:¥4.7008 100:¥2.8476 1,000:¥2.2713 3,000:¥2.2261 9,000:¥2.1583	参考库存:9569
MK12DX256VLF5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 ARM+256Kb	1:¥46.8724 10:¥42.3411 25:¥38.4991 100:¥35.1204 250:¥34.4198	参考库存:7501
BFP420FH6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥3.2318 10:¥2.4634 100:¥1.3334 1,000:¥0.99892 3,000:¥0.86106 9,000:¥0.80682	参考库存:46623
BFR740L3RHE6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor	1:¥6.5314 10:¥5.4692 100:¥3.5256 1,000:¥2.825 15,000:¥2.2035	参考库存:12790
HMC454ST89ETR	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 ½ Watt hi IP3 amp , 0.4 - 2.5 GHz	1:¥76.614 10:¥69.2351 25:¥66.0033 100:¥57.3249 500:¥49.946	参考库存:2597