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无线和射频半导体
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NPTB00004A

  • MACOM
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
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10
¥107.1127
1071.127
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50
¥93.5866
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参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
11.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tray
工作频率
6 GHz
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.6 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1211UK
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