BGA2870,115详细参数_参考价格_BGA2870,115 PDF资料_NXP Semiconductors

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NXP
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
类型	MMIC Amplifier
工作频率	0 Hz to 750 MHz
P1dB - 压缩点	4 dBm
增益	31.1 dB
工作电源电压	2.3 V to 2.7 V
NF—噪声系数	3.2 dB
测试频率	500 MHz
OIP3 - 三阶截点	14 dBm
工作电源电流	16 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
带宽	2.1 GHz
商标	NXP Semiconductors
隔离分贝	52 dB
Pd-功率耗散	200 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	3000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	2.7 V
电源电压-最小	2.3 V
零件号别名	935294013115
单位重量	5.464 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ATSAMB11-XR2100A	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC External Antenna SiP Module	1:¥62.5455 10:¥57.7882 25:¥52.9405 50:¥50.7144	参考库存:3631
MRFE6VP61K25HR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H	1:¥1,330.9479 5:¥1,298.9011 10:¥1,266.7074 25:¥1,248.9551 50:¥1,248.9551	参考库存:1653
SKY66111-11	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 2400-2485MHz BLE FEM Pout 10dBm	1:¥12.7577 10:¥11.526 25:¥10.2943 100:¥9.2208 4,500:¥5.1076	参考库存:5305
ATSAMB11G18A-MU-T	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC BLE 4.1 SOC Ultra Low Power	1:¥34.4989 10:¥31.8886 25:¥29.1992 50:¥27.9675 4,000:¥24.5888	参考库存:20512
EM351-RTR	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC IEEE 802.15.4 2.4 GHz SoC	1:¥46.1831 10:¥43.5728 25:¥42.3411 50:¥41.0303 2,000:¥34.578	参考库存:11119