CC1110F8RHHR详细参数_参考价格_CC1110F8RHHR PDF资料_Texas Instruments

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	RF片上系统 - SoC
RoHS	是
类型	ISM
核心	8051
工作频率	300 MHz to 348 MHz, 391 MHz to 464 MHz, 782 MHz to 928 MHz
最大数据速率	500 kb/s
输出功率	10 dBm
灵敏度	- 112 dBm
工作电源电压	2 V to 3.6 V
接收供电电流	16.2 mA
程序存储器大小	8 kB
工作温度范围	- 40 C to + 85 C
封装 / 箱体	VQFN-36
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
程序存储器类型	Flash
系列	CC1110-CC1111
商标	Texas Instruments
数据 RAM 大小	1 kB
数据 Ram 类型	RAM
接口类型	I2s, UART, USB
安装风格	SMD/SMT
输入/输出端数量	21 I/O
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
湿度敏感性	Yes
定时器数量	5 Timer
处理器系列	CC1110Fx
产品类型	RF System on a Chip - SoC
工厂包装数量	2500
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	105.700 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2089-6405-00	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	预定标器 12.4-18GHz IL 1.20dB VSWR 1.70:1	10:¥7,120.7628	参考库存:31241
PD85006-E	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic	暂无价格	参考库存:31246
PXV1220S-5DBN8-T	Susumu	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 5.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW	1,000:¥71.4612	参考库存:31251
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NJG1329LE4-TE1	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 LTE Band PAM 28.0 dBm 30dB	3,000:¥8.8366	参考库存:31261