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无线和射频半导体
ARF463AG参考图片

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ARF463AG

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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库存:1,968(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥254.8828
254.8828
5
¥243.4246
1217.123
10
¥235.8197
2358.197
25
¥216.6888
5417.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,ARF463AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
1:¥1,170.8156
5:¥1,147.7636
10:¥1,094.2807
25:¥1,071.3078
参考库存:26068
无线和射频半导体
射频放大器 Dual Output lo Noise amp , 0.04-0.96GHz
231:¥32.431
250:¥30.736
500:¥27.5833
1,000:¥23.278
参考库存:26073
无线和射频半导体
射频无线杂项 IF Undersampler
1:¥55.2457
10:¥52.1721
25:¥41.7196
50:¥39.6517
2,500:¥24.8148
参考库存:26078
无线和射频半导体
射频放大器 2.4-2.5GHz 1.8-3.3V Pout 19dBm
1:¥10.2152
100:¥9.0626
250:¥7.6049
500:¥6.4523
2,500:¥3.5369
参考库存:26083
无线和射频半导体
射频放大器 1 Watt pow amp SMT, 0.4 - 2.2 GHz
500:¥84.9873
1,000:¥74.4557
参考库存:26088
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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