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产品分类

无线和射频半导体

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BFP 740F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.1075
31.075
100
¥1.8984
189.84
1,000
¥1.469
1469
3,000
¥1.2543
3762.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
13 V
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.55 mm
长度
1.4 mm
工作频率
42 GHz
类型
RF Silicon Germanium
宽度
0.8 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740FH6327XTSA1 BFP74FH6327XT SP000750416
单位重量
1.870 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 740F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 GaAs MMIC Fundamentl mix , 16 - 30 GHz
1:¥448.2032
5:¥434.6093
10:¥421.0041
25:¥407.478
500:¥366.7528
参考库存:5319
无线和射频半导体
射频放大器 1.2GHz, 32dB Push-Pull MMIC
1:¥49.0985
250:¥45.3356
500:¥40.341
2,500:¥40.341
参考库存:3481
无线和射频半导体
射频放大器 BGS8324/HX2QFN12///REEL 7 Q2 NDP
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
5,000:¥2.0792
参考库存:26733
无线和射频半导体
射频接收器 315MHz/434MHz Superheterodyne Rcvr
1:¥48.1041
10:¥42.9513
25:¥38.646
50:¥31.6626
2,500:¥19.9784
参考库存:19160
无线和射频半导体
射频放大器 MMIC, .5-12Ghz LNA
1:¥604.9568
2:¥593.0466
5:¥586.5943
10:¥568.2318
参考库存:2062
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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