HMC789ST89E详细参数_参考价格_HMC789ST89E PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-89-3
类型	HBT Gain Block
技术	GaAs InGaP
工作频率	0.7 GHz to 2.8 GHz
P1dB - 压缩点	23.5 dBm
增益	18 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	3.8 dB
OIP3 - 三阶截点	42 dBm
工作电源电流	125 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC789
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	12 dB
Pd-功率耗散	0.85 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	130.500 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
LX5531LQ-TR	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 LX5531LQ-TR	3,000:¥10.5994	参考库存:38882
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