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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-EP-20
类型	C-Band Low Noise Amplifier
技术	GaN SiC
工作频率	2 GHz to 6 GHz
P1dB - 压缩点	18 dBm
增益	22 dB
工作电源电压	10 V
NF—噪声系数	1 dB
工作电源电流	100 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	TGA
封装	Waffle
产品	GaN
商标	Qorvo
输入返回损失	10 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	6 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	1097068

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BGM13GBA9E6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 MULTI CHIP MODULES	4,500:¥2.3956 9,000:¥2.3165 22,500:¥2.2261	参考库存:43183
SMA25-1	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2-1500MHz NF 3.4dB Gain 13.5dB	20:¥1,121.864	参考库存:43188
ST9045C	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz	50:¥440.2932 100:¥408.0204	参考库存:43193
MA4EX240H1-1225T	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器	1:¥47.4826 10:¥36.725 100:¥33.3463 250:¥30.1936	参考库存:43198
SI1014-C-GM2	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC	364:¥35.6515 728:¥35.4255 1,092:¥34.9622	参考库存:43203