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无线和射频半导体
BFP 196 E6327参考图片

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BFP 196 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
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2.9945
10
¥2.147
21.47
100
¥0.99101
99.101
1,000
¥0.76049
760.49
3,000
¥0.64523
1935.69
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP196
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 50 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
7.5 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
7500 MHz
最大直流电集电极电流
0.1 A
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327XT SP000011027
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 196 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 MULTI CHIP MODULES
4,500:¥2.3956
9,000:¥2.3165
22,500:¥2.2261
参考库存:43183
无线和射频半导体
射频放大器 2-1500MHz NF 3.4dB Gain 13.5dB
20:¥1,121.864
参考库存:43188
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
50:¥440.2932
100:¥408.0204
参考库存:43193
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥47.4826
10:¥36.725
100:¥33.3463
250:¥30.1936
参考库存:43198
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
364:¥35.6515
728:¥35.4255
1,092:¥34.9622
参考库存:43203
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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