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无线和射频半导体
MRF275G参考图片

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MRF275G

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
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数量单价合计
1
¥1,103.8857
1103.8857
10
¥1,041.408
10414.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
26 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
11.2 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
375-04
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
400 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
商品其它信息
优势价格,MRF275G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
1:¥3,621.9325
10:¥3,565.9184
参考库存:1631
无线和射频半导体
射频混合器 BiCMOS MMIC Mix w/Int LO amp, 2.0-2.7GHz
1:¥150.2222
10:¥138.086
25:¥132.3908
100:¥116.6386
参考库存:1983
无线和射频半导体
射频放大器 LNA MMIC 4GHz 2.4dB
1:¥6.2263
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
5,000:¥2.2374
参考库存:31045
无线和射频半导体
RF 开关 IC 300KHz-6.0GHz SPDT GaAs IL .35dB
1:¥6.6896
10:¥6.0116
25:¥5.198
100:¥4.6895
3,000:¥2.7685
参考库存:21442
无线和射频半导体
衰减器 Fixed, 20 dB Pass atten Chip, DC-50GHz
50:¥97.2817
100:¥85.6766
250:¥81.5295
500:¥79.8345
参考库存:1849
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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