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无线和射频半导体
MRFE6VP8600HR5参考图片

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MRFE6VP8600HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
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数量单价合计
1
¥2,145.4519
2145.4519
5
¥2,097.5738
10487.869
10
¥2,054.6225
20546.225
25
¥2,024.3498
50608.745
50
¥1,950.8094
97540.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
140 V
增益
18.8 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE6VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
15.6 S
Pd-功率耗散
1.52 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.07 V
零件号别名
935321656178
单位重量
13.164 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP8600HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 10-1000MHz NF 3.8dB Gain 14.7dB
1:¥1,026.5824
参考库存:32162
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Driver amp SMT, 3.0 - 4.5 GHz
1:¥86.8292
10:¥78.535
25:¥74.8399
100:¥65.0089
500:¥56.6356
参考库存:3594
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2:¥823.8039
6:¥797.215
10:¥781.3046
26:¥749.4951
参考库存:2461
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射频前端 802.11ac dualband FEMwithBT co-existence
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥24.973
100:¥22.7469
10,000:¥13.447
参考库存:2433528
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz ISM FEM 802.15.4/Smart Mtrs
1:¥40.341
100:¥35.7306
参考库存:2945
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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