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无线和射频半导体
MRF6V12250HR5参考图片

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MRF6V12250HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
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数量单价合计
1
¥1,834.4759
1834.4759
5
¥1,795.7508
8978.754
10
¥1,756.9466
17569.466
50
¥1,756.9466
87847.33
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
20.3 dB
输出功率
27.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935310098178
单位重量
6.425 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V12250HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 700-960MHz .5W
1:¥65.6191
25:¥50.2511
100:¥39.2675
250:¥32.4988
2,500:¥25.5832
参考库存:12752
无线和射频半导体
RFID应答器 64-Kbit Dynamic NFC/RFID tag NFC Forum type V with I2C interface, fast transfer mode and energy harvesting
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.3902
参考库存:22284
无线和射频半导体
射频放大器 .05-10GHz NF 1.9dB Gain 14dB
1:¥30.736
10:¥29.1992
100:¥26.9731
250:¥23.8204
2,500:¥10.2943
参考库存:9536
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC WiFi 2.4GHz and 5 GHz with R4 Microcontroller - No antenna Included. Cypress WICED compatible.
1:¥108.6495
100:¥101.4288
500:¥95.1234
参考库存:5083
无线和射频半导体
射频放大器 2-2.3GHz 4W Small Cell PAE 37.3%
1:¥85.5184
10:¥77.3033
25:¥71.2352
50:¥67.1559
2,500:¥49.4036
参考库存:19235
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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