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无线和射频半导体
MRF6V2010NR1参考图片

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MRF6V2010NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
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数量单价合计
1
¥194.1001
194.1001
5
¥185.5686
927.843
10
¥179.0372
1790.372
25
¥156.2112
3905.28
500
¥134.7751
67387.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
23.9 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
工作频率
450 MHz
系列
MRF6V2010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 5 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.68 V
零件号别名
935309669528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格,MRF6V2010NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Hi Spd CMOS Logic Phase Lckd Loop
2,500:¥4.2375
10,000:¥4.068
22,500:¥3.955
参考库存:23888
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RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 sub-GHz 20 dBm proprietary 256 kB +125C SoC
1:¥43.5728
10:¥42.8044
25:¥42.036
50:¥40.6461
参考库存:23893
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥744.1163
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射频混合器 BiCMOS Mix w/ Int LO amp, 3.1 - 3.9 GHz
500:¥97.2026
1,000:¥85.1342
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锁相环 - PLL Hi-Spd CMOS Logic PLL w/VCO
1,475:¥2.1018
2,000:¥1.9097
5,000:¥1.7741
10,000:¥1.7176
参考库存:23908
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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