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无线和射频半导体

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BFR 740L3RH E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4692
54.692
100
¥3.5256
352.56
1,000
¥2.825
2825
15,000
¥2.2035
33052.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR740L3
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.45(Max) mm
长度
1 mm
类型
RF Silicon Germanium
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR74L3RHE6327XT SP000252393
单位重量
0.500 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 740L3RH E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC BLE 5 Ready OTAQFN 48 pin6x6mm
暂无价格
参考库存:42797
无线和射频半导体
射频前端 915MHz Tx/RX Module 868/915MHz AMR
1:¥36.3408
250:¥32.1937
500:¥26.9731
1,000:¥22.826
2,500:¥16.5997
5,000:¥12.4526
参考库存:14489
无线和射频半导体
射频放大器 5GHz Discrete PA
1:¥26.5098
100:¥26.5098
200:¥24.3628
参考库存:4471
无线和射频半导体
射频无线杂项 .1-20GHz 10W GaAs IL <.9dB
1:¥265.5613
25:¥215.152
100:¥174.2686
参考库存:12758
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs PHEMT MMIC Med PA, 5 - 18 GHz
1:¥222.1467
5:¥209.9992
10:¥204.9368
25:¥184.19
参考库存:7440
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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