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无线和射频半导体
PD54003-E参考图片

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PD54003-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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库存:5,939(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥81.5295
81.5295
10
¥74.919
749.19
25
¥71.8454
1796.135
100
¥63.3139
6331.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
12 dB
输出功率
3 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD54003-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD54003-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 2-6GHz Gain >24dB GaN PAE >31%
50:¥325.7225
100:¥246.5773
250:¥219.5364
参考库存:1322
无线和射频半导体
射频收发器 ISM Band IC
1:¥40.341
10:¥35.9566
25:¥32.431
50:¥30.8942
2,500:¥23.9786
参考库存:4474
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
参考库存:24431
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 100 V 140 mA
1:¥2.7685
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.75258
参考库存:45388
无线和射频半导体
射频混合器 LO 5-750MHz IF DC-500MHz
1:¥896.881
10:¥874.281
25:¥832.5614
50:¥794.6047
100:¥759.9476
参考库存:1195
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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