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无线和射频半导体
CGH40006S参考图片

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CGH40006S

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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200
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.75 A
输出功率
6.9 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
应用
-
配置
Single
高度
1 mm
长度
3.15 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
3.15 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH40006S-KIT
下降时间
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
200
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH40006S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GC4701-150B
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
50:¥119.8704
100:¥116.4126
250:¥106.1183
500:¥99.2818
参考库存:36601
D1003UK
Semelab / TT Electronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-28V-175HMz SE
50:¥479.5607
100:¥466.3397
参考库存:36606
TEF6687HN/V102Y
NXP Semiconductors
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调谐器 IC TUNER 1CHIP LOW IF
6,000:¥33.3463
参考库存:36611
TCS800
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥4,791.3582
参考库存:36616
MY87C
MACOM
无线和射频半导体
射频混合器
10:¥6,641.8236
参考库存:36621

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    50万现货SKU

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