F1975NCGI详细参数_参考价格_F1975NCGI PDF资料_IDT

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	衰减器
RoHS	是
封装 / 箱体	TQFN-24
最大衰减	31.1 dB
最大频率	3 GHz
位数	6 bit
通道数量	1 Channel
阻抗	75 Ohms
最大 VSWR	-
衰减器步长	0.5 dB
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 105 C
封装	Tray
功率额定值	34 dBm
系列	F1975
技术	Silicon
类型	Digital Step Attenuator
商标	IDT
介入损耗	1.2 dB
安装风格	SMD/SMT
最小频率	5 MHz
工作电源电压	5.25 V
产品类型	Attenuators
工厂包装数量	490
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	Glitch-Free

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
20926410602	HARTING	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 RFID TRANSPONDER SL89 MT	1:¥125.3283 5:¥123.8706 10:¥120.0964 25:¥116.3335	参考库存:25306
MRF8HP21080HR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4	1:¥478.0239 5:¥464.0345 10:¥454.1244 25:¥435.0726 250:¥385.7368	参考库存:25311
HMC821LP6CETR	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL PLL + VCO 1610-2080MHz /2 x2	500:¥95.2025 1,000:¥83.4505	参考库存:25316
BLW85	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor	1:¥553.248 10:¥461.04 25:¥414.936 50:¥368.832	参考库存:25321
RFM00U7U(TE85L,F)	Toshiba	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V	1:¥10.2152 10:¥8.2264 100:¥6.2828 500:¥5.5596 3,000:¥3.8872	参考库存:25326