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无线和射频半导体
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QPD1015

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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1
¥1,037.34
1037.34
25
¥899.028
22475.7
100
¥776.084
77608.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
64 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1015PCB401
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格，QPD1015的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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250:¥256.6456
参考库存:40496

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    50万现货SKU

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