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无线和射频半导体
QPB9329TR13参考图片

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QPB9329TR13

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频前端 3.8-5GHz FEM Dual Channel 3-5V
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数量单价合计
1
¥302.5236
302.5236
25
¥231.7517
5793.7925
100
¥177.5004
17750.04
250
¥138.538
34634.5
2,500
¥90.3661
225915.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频前端
RoHS
类型
RF Front End
工作频率
3.8 GHz to 5 GHz
NF—噪声系数
1.8 dB
工作电源电压
5 V
工作电源电流
120 mA
最大工作温度
+ 105 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMD-44
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
技术
Silicon
商标
Qorvo
增益
16.5 dB, 31.5 dB
开发套件
QPB9329EVB01
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
OIP3 - 三阶截点
33 dBm, 33.5 dBm
P1dB - 压缩点
16.5 dBm, 18 dBm
产品类型
RF Front End
工厂包装数量
2500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,QPB9329TR13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 24.2-26.5GHz K-Band Gain 18dB
500:¥217.073
参考库存:31186
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PIN 二极管
100:¥101.813
250:¥92.8182
500:¥86.8292
1,000:¥79.6876
参考库存:31191
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1,000:¥145.996
参考库存:31196
无线和射频半导体
射频放大器 7.9-11GHz 100W GaN PAE >35% SSG >26dB
暂无价格
参考库存:31201
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥262.3295
参考库存:31206
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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