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分立半导体
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STGWA30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥20.9728
209.728
100
¥18.2156
1821.56
250
¥17.289
4322.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA30H60DFB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGWA30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N5418
Microsemi
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥84.75
10:¥76.2976
25:¥69.5402
100:¥62.7828
参考库存:2626
CSD16340Q3T
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 25V, -55 to 150
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2489
250:¥6.2489
500:¥5.5257
参考库存:4248
CDBHM230L-HF
Comchip Technology
分立半导体
桥式整流器 VR=30V, IO=2A
1:¥6.2263
10:¥4.7686
100:¥3.3222
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:2630
V60D45C-M3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60A 45V TrenchMOS
1:¥34.4989
10:¥28.589
100:¥23.5153
250:¥22.826
500:¥20.5208
2,000:¥20.5208
参考库存:6987
DZ600N12K
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 1150A
1:¥1,291.5222
5:¥1,260.402
10:¥1,229.1349
25:¥1,211.925
参考库存:2399

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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