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分立半导体
STGWT15H60F参考图片

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STGWT15H60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.379
4689.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT15H60F
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
5.500 g
商品其它信息
优势价格，STGWT15H60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5819-B
Rectron
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 1A
1:¥1.921
25:¥1.7854
100:¥1.6385
250:¥1.4803
参考库存:11718
FERD40M45CG-TR
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Field Effect Rectifier
1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.1473
500:¥7.1981
1,000:¥5.6839
参考库存:4175
VT1045BP-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A 45V TrenchMOS
1:¥7.9891
10:¥6.5314
100:¥5.0059
500:¥4.3053
1,000:¥3.7855
参考库存:24127
L4X8E8
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 400V .8A Sensing 10-10-10-20mA
1:¥7.1416
10:¥5.7856
100:¥4.4409
500:¥3.9211
1,000:¥3.0962
参考库存:14129
R2000-T
Rectron
分立半导体
整流器 200mA 2000V
1:¥1.07576
25:¥0.9379
100:¥0.84524
250:¥0.70738
500:¥0.31527
5,000:¥0.31527
参考库存:5356

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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