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分立半导体
SCTWA50N120参考图片

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SCTWA50N120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
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数量单价合计
1
¥271.3243
271.3243
5
¥268.5558
1342.779
10
¥250.2724
2502.724
25
¥239.0515
5976.2875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HiP-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
65 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
122 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
318 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
HiP247â?¢
系列
SCTWA50N120
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,SCTWA50N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODES SCHOTTKY 60V 3A SMB
1:¥4.5313
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
参考库存:48753
分立半导体
SCR Schottky Barrier Diode
1:¥5.6048
10:¥5.1076
100:¥4.6443
500:¥4.0002
2,000:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:48758
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,20V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.842
10:¥2.7685
100:¥1.7967
500:¥1.06785
3,000:¥0.71416
9,000:查看
参考库存:48763
分立半导体
桥式整流器
1:¥15.5262
10:¥13.9894
25:¥12.5204
100:¥11.30
参考库存:19123
分立半导体
稳压二极管 ZENER 1W 75V AEC-Q101
1:¥3.616
10:¥2.6668
100:¥1.808
1,000:¥1.2656
2,000:¥1.07576
参考库存:48770
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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