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分立半导体
STL19N60M2参考图片

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STL19N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.278 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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数量单价合计
1
¥21.7412
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10
¥18.4416
184.416
100
¥14.7578
1475.78
500
¥12.9837
6491.85
3,000
¥9.9892
29967.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-8x8-HV-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
278 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL19N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
10.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,STL19N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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