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分立半导体
PD85015TR-E参考图片

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PD85015TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥156.9118
156.9118
5
¥155.2959
776.4795
10
¥144.7643
1447.643
25
¥138.2329
3455.8225
600
¥112.2655
67359.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
16 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85015TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
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双向可控硅 4.0 Amp 600 Volt
1:¥8.7575
10:¥7.4693
100:¥5.7404
500:¥5.0737
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分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr 6A Io SBD TO-252(DPAK) 3A IF
1:¥6.6105
10:¥5.7065
100:¥4.3844
500:¥3.8759
1,000:¥3.0623
2,500:¥2.712
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1:¥79.6876
10:¥72.0036
25:¥68.6136
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分立半导体
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1:¥568.6951
5:¥551.4061
10:¥534.1962
25:¥510.0594
参考库存:5220
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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