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分立半导体
SCT30N120参考图片

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SCT30N120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
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库存:5,693(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥206.0894
206.0894
5
¥203.9311
1019.6555
10
¥190.0999
1900.999
25
¥181.5684
4539.21
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HiP-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V, - 10 V
Qg-栅极电荷
105 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
商标名
HiP247â?¢
封装
Tube
系列
SCT30N120
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SCT30N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥24.2046
10:¥20.5886
100:¥17.8992
250:¥16.9839
500:¥15.2098
参考库存:4902
分立半导体
整流器 100 Volt 40 Amp
1:¥87.0552
10:¥78.3768
50:¥71.4612
100:¥64.4665
参考库存:4149
分立半导体
高压触发二极管 SIDAC 250V HI ENERGY
1:¥10.2943
10:¥8.2942
100:¥6.3732
500:¥5.6048
1,000:¥4.4522
参考库存:8371
分立半导体
MOSFET 75V 80A 9 mOhm Automotive MOSFET
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.526
800:¥9.5259
参考库存:7883
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HF LOW-NOISE AMPLIFIER
1:¥6.0681
10:¥5.0172
100:¥3.2318
700:¥2.5877
2,100:¥2.1922
参考库存:6805
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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