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分立半导体
PD57060S-E参考图片

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PD57060S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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库存:40,490(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥415.6253
415.6253
5
¥406.3254
2031.627
10
¥390.4263
3904.263
25
¥377.8268
9445.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57060S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 BTA41-800BQ/II TO3P/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
1:¥21.357
10:¥19.0518
100:¥17.3681
250:¥15.6731
参考库存:44330
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12-Bit Schottky Barrier Diode
1:¥26.668
10:¥23.9786
100:¥19.5942
250:¥18.3625
2,000:¥13.3679
4,000:查看
参考库存:44335
分立半导体
双向可控硅 800V 8A 50-50-50mA
1:¥16.9048
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
参考库存:44340
分立半导体
桥式整流器 100 Volt 4.0 Amp Glass Passivated
1:¥9.0626
10:¥7.4128
100:¥5.6839
500:¥4.8929
参考库存:44345
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:44350
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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