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分立半导体

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STGWA40H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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数量单价合计
1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA40H120F2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGWA40H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
4PS03012S43G30699
Infineon Technologies
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IGBT 模块
1:¥67,716.4026
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1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
4,800:¥7.7631
9,600:查看
参考库存:42942
FD1600/1200R17HP4_B2
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12,000:¥0.9379
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MRFE6VP5600-434
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-434
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:42957

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