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分立半导体
DMTH4008LFDFWQ-7参考图片

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DMTH4008LFDFWQ-7

  • Diodes Inc. / Pericom
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-6 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.6725
36.725
100
¥2.373
237.3
1,000
¥1.8984
1898.4
3,000
¥1.8984
5695.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
11.6 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH4008
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.2 ns
典型接通延迟时间
3.1 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格,DMTH4008LFDFWQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块
1:¥67,716.4026
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MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 39nC
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
4,800:¥7.7631
9,600:查看
参考库存:42942
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1:¥10,843.8868
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4,000:¥1.06785
8,000:¥1.00683
12,000:¥0.9379
24,000:¥0.86106
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-434
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:42957
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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