ADC124EUQ-13详细参数_参考价格_ADC124EUQ-13 PDF资料_Diodes Incorporated

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	270 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	0.1 V
商标	Diodes Incorporated
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	10000
子类别	Transistors
单位重量	7.500 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BYM07-400-E3/83	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated	1:¥3.7629 10:¥2.6103 100:¥1.7628 500:¥1.4125 9,000:¥0.85315 18,000:查看	参考库存:46258
IRLR024NTRLPBF	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl	1:¥6.5314 10:¥5.4805 100:¥3.5369 1,000:¥2.825 3,000:¥2.825	参考库存:17270
NSV60200LT1G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR	1:¥4.8364 10:¥3.9776 100:¥2.5651 1,000:¥2.0566 3,000:¥2.0566	参考库存:8452
IRF530NPBF	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC	1:¥6.3054 10:¥5.3788 100:¥4.1358 500:¥3.6612 1,000:¥2.8815	参考库存:23714
FMBA06	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Multi-Chip Trans General Purpose	1:¥3.1527 10:¥2.6216 100:¥1.5933 1,000:¥1.2317 3,000:¥1.05316	参考库存:25911