RN1309,LF详细参数_参考价格_RN1309,LF PDF资料_Toshiba

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	2.14
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1309
封装	Cut Tape
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	15 V
商标	Toshiba
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BZD27C43P R3	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 43 Volt 0.8 Watt 5%	1:¥5.4579 10:¥3.1527 100:¥2.5425 500:¥1.5029 1,800:¥1.00683 9,000:查看	参考库存:60507
1SMA5941HR3G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 1.5W,47V,5%,ZENER,SMA	1:¥4.1471 10:¥2.9945 100:¥1.7741 1,000:¥0.75258 1,800:¥0.65314	参考库存:60512
HT14GHR0G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1A,300V, GP HIGH EFFICIENT RECTIFIER	1:¥5.0737 10:¥4.6104 100:¥3.0171 1,000:¥1.00683 5,000:¥0.82942	参考库存:60517
1SMB5943 R5	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 3W,56V,5%,ZENER,SMB	1:¥4.7686 10:¥2.7685 100:¥2.2035 500:¥1.3108 850:¥0.97632	参考库存:60522
1PGSMA200Z R3G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管	1:¥4.3844 10:¥2.5312 100:¥2.034 500:¥1.1978 1,800:¥0.79891 9,000:查看	参考库存:60527