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分立半导体
STD19N3LLH6AG参考图片

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STD19N3LLH6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
2,500
¥2.4973
6243.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD19N3LLH6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
2.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.8 ns
典型接通延迟时间
2.4 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD19N3LLH6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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2:¥442.9826
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10:¥105.2708
25:¥97.3608
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500:¥15.6731
1,000:¥13.1419
2,500:¥12.5204
参考库存:39607
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    50万现货SKU

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