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分立半导体
STGP20M65DF2参考图片

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STGP20M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
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库存:8,621(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9101
4955.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP20M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,STGP20M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 0,5A, 200V, SMF FAST RECOVERY
1:¥3.842
10:¥3.5369
100:¥2.2939
1,000:¥0.7684
1,800:¥0.63732
参考库存:24748
分立半导体
整流器 1A, 800V, GP FAST RECOVERY
1:¥3.616
10:¥3.2996
100:¥2.1357
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.59212
参考库存:24753
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20V 500MA 1005 SOD32 3F
1:¥3.0736
10:¥2.0453
100:¥1.2543
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:24758
分立半导体
整流器 3A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥3.1527
100:¥2.3617
500:¥1.7289
1,250:¥1.2995
2,500:¥1.1978
参考库存:24763
分立半导体
整流器 3A,300V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥2.1922
500:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.11418
参考库存:24768
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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